با طلا چکیده. به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دماي o C و در قطعات با پایه گسیل میدانی الکترون دارد [7-6]. در

Σχετικά έγγραφα
تصاویر استریوگرافی.

محاسبه ی برآیند بردارها به روش تحلیلی

آزمایش 8: تقویت کننده عملیاتی 2

روش محاسبه ی توان منابع جریان و منابع ولتاژ

آزمایش 1: پاسخ فرکانسی تقویتکننده امیتر مشترك

یونیزاسیون اشعهX مقدار مو ثر یونی را = تعریف میکنیم و ظرفیت مو ثر یونی نسبت مقدار مو ثر یونی به زمان تابش هدف آزمایش: مقدمه:

هدف از این آزمایش آشنایی با رفتار فرکانسی مدارهاي مرتبه اول نحوه تأثیر مقادیر عناصر در این رفتار مشاهده پاسخ دامنه

بسمه تعالی «تمرین شماره یک»

مطالعه تابش جسم سیاه

در این تحقیق بهمنظور بررسی تا ثیر دماي تکلیس در ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در ذرات بسیار ریز

ﯽﺳﻮﻃ ﺮﯿﺼﻧ ﻪﺟاﻮﺧ ﯽﺘﻌﻨﺻ هﺎﮕﺸﻧاد

آزمایش میلیکان هدف آزمایش: بررسی کوانتایی بودن بار و اندازهگیري بار الکترون مقدمه: روش مشاهده حرکت قطرات ریز روغن باردار در میدان عبارتند از:

مدار معادل تونن و نورتن

اولین همایش ملی نانومواد و نانوتکنولوژی دانشگاه آزاد اسالمی واحد شاهرود 01 و 00 اسفند ماه 0931 ترموالکتریکی آن مالئی مجتبی محمدی

هو الحق دانشکده ي مهندسی کامپیوتر جلسه هفتم

حل مشکل ولتاژ پسماند در جهت ساخت 20 دستگاه ژنراتور کمکی 18kW

جلسه 3 ابتدا نکته اي در مورد عمل توابع بر روي ماتریس ها گفته می شود و در ادامه ي این جلسه اصول مکانیک کوانتمی بیان. d 1. i=0. i=0. λ 2 i v i v i.

Angle Resolved Photoemission Spectroscopy (ARPES)

PEM عﻮﻧ ﯽﺘﺧﻮﺳ ﻞﯿﭘ یدﺮﮐرﺎﮐ ژﺎﺘﻟو رد بآ ﺖﯾﺮﯾﺪﻣ ﺮﯿﺛﺄﺗ

مطالعهي پارامترهاي فیزیکی آب در تنگهي هرمز

مقدمه الف) مبدلهای AC/DC ب) مبدلهای DC/AC ج) مبدلهای AC/AC د) چاپرها. (Rectifiers) (Inverters) (Converters) (Choppers) Version 1.0

معرفی فرآیند آندایز و روشهای مختلف آن : با توجه به پیشرفت چشمگیر بشر در فناوری نانو روشهای متنوعی برای تولید نانوساختارها ابداع شده است یکی از روشهای

تحلیل مدار به روش جریان حلقه

طراحی و تعیین استراتژی بهره برداری از سیستم ترکیبی توربین بادی-فتوولتاییک بر مبنای کنترل اولیه و ثانویه به منظور بهبود مشخصههای پایداری ریزشبکه

پروژه یازدهم: ماشین هاي بردار پشتیبان

مکانيک جامدات ارائه و تحليل روش مناسب جهت افزایش استحکام اتصاالت چسبي در حالت حجم چسب یکسان

بررسی تا ثیر عملیات حرارتی بر سختی و مقاومت خوردگی پوشش نانوکامپوزیتی الکترولس نیکل فسفر نانوالماس اعمال شده بر روي زیرلایه فولادي

تمرینات درس ریاض عموم ٢. r(t) = (a cos t, b sin t), ٠ t ٢π. cos ٢ t sin tdt = ka۴. x = ١ ka ۴. m ٣ = ٢a. κds باشد. حاصل x٢

بسم اهلل الرحمن الرحیم آزمایشگاه فیزیک )2( shimiomd

تحلیل فرسایش ابزار در ماشینکاري فولاد

بررسی یک روش حذف پسیو خازن پارازیتی جهت کاهش نویز مود مشترك در مبدل سوي یچینگ فلاي بک

Continuos 8 V DC Intermittent 10A for 10 Sec ±% % / c. AVR Responsez 20 ms

ارزیابی حد دینامیکی پایداري ولتاژ متناظربا انشعاب هاپف( HB ) با در نظرگرفتن پارامترهاي سیستم تحریک ومدل هاي بار

تحلیل میدانی سیستمهای الکترومغناطیسی با در نظر گرفتن پدیدۀ هیسترزیس به

بخش 3: تحلیل کمی و کیفی دادههای XRD نویسندگان: علی انصاری فرزاد حسینی نسب مقدمه:

آزمون مقایسه میانگین های دو جامعه )نمونه های بزرگ(

هدف آزمایش: مطالعه طیف اتم هیدروژن و بدست آوردن ثابت ریدبرگ مقدمه: ثابت پلانگ تقسیم بر 2 است. است که در حالت تعادل برابر نیروي جانب مرکز است.

استفاده از روش زمان پرواز برای بررسی میزان تحرک الکترون و حفره در سلول خورشیدی

حساسیتسنجی پایداري عرضی هواپیما نسبت به موقعیت عمودي بال عدد ماخ و زاویه حمله بر اساس دینامیک سیالات محاسباتی

شاخصهای پراکندگی دامنهی تغییرات:

1 ﺶﻳﺎﻣزآ ﻢﻫا نﻮﻧﺎﻗ ﻲﺳرﺮﺑ

چکیده مقدمه از مهمترین پارامترهاي مربوط به بهمنهاي گسترده هوایی اندازه بهمن 1 بهمن 2 است که بهطور قراردادي عمر بهمن را پیش از رسیدن

اراي ه روشی جدید جهت تشخیص فاز خطا در خطوط جبرانشده با STATCOM

کنترل فرکانس- بار سیستم قدرت چند ناحیه شامل نیروگاههای حرارتی بادی و آبی

تثبیت تغییرات مرکز فاز آنتنهاي متناوب لگاریتمی

جلسه دوم سوم چهارم: مقدمه اي بر نظریه میدان

آنالیز روغن عایقی جهت تشخیص عیب داخلی ترانسفورماتور

اندازهگیری ضریب هدایت حرارتی جامدات در سیستم شعاعی و خطی

بهینه سازی ترکیب نانوساختار کربنی به عنوان زیر الیه در رشد الکتروکاتالیست های کبالت

جلسه 12 به صورت دنباله اي از,0 1 نمایش داده شده اند در حین محاسبه ممکن است با خطا مواجه شده و یکی از بیت هاي آن. p 1

جریان نامی...

مفاهیم ولتاژ افت ولتاژ و اختالف پتانسیل

تحلیل گرمایی کابلهاي انتقال توان به کورههاي قوس الکتریکی مطالعه موردي: مجتمع فولاد مبارکه

نحوه سیم بندي استاتورآلترناتور

مثال( مساله الپالس در ناحیه داده شده را حل کنید. u(x,0)=f(x) f(x) حل: به کمک جداسازی متغیرها: ثابت = k. u(x,y)=x(x)y(y) X"Y=-XY" X" X" kx = 0

موتورهای تکفاز ساختمان موتورهای تک فاز دوخازنی را توضیح دهد. منحنی مشخصه گشتاور سرعت موتور تک فاز با خازن راه انداز را تشریح کند.

آالییده با ناخالصی کروم در برابر بخار اتانول

مقایسه عملکرد روش RCMT براي ارزیابی سریع مقاومت بتن در برابر نفوذ یون کلر با روشهاي RCPT و مقاومت الکتریکی

1) { } 6) {, } {{, }} 2) {{ }} 7 ) { } 3) { } { } 8) { } 4) {{, }} 9) { } { }

بخش غیرآهنی. هدف: ارتقاي خواص ابرکشسانی آلياژ Ni Ti مقدمه

روش ابداعی کنترل بهینه غیرخطی در توربین بادی با حداقل سازی نوسانات توان و گشتاور

طراحی و مدل سازي خنک کاري پره ثابت توربین با استفاده از جریان جت برخوردي و خنک کاري لایه اي

تئوری جامع ماشین بخش سوم جهت سادگی بحث یک ماشین سنکرون دو قطبی از نوع قطب برجسته مطالعه میشود.

چکیده میباشد. کلاس 105 C A است. براساس. Godec. Sarunac. Fluent. Schlabbach

تخمین نوکلئوفیلیسیتی هترواتمها در بازها و جفت بازهای DNA

( )= ( ) ( ) ( 1) ( d) d w و ( ) =

بررسی تکنیک هاي تعقیب نقطه توان حداکثر در پانل هاي خورشیدي مورد استفاده در ماهواره ها و اراي ه ي یک راهکار جدید

تلفات خط انتقال ابررسی یک شبکة قدرت با 2 به شبکة شکل زیر توجه کنید. ژنراتور فرضیات شبکه: میباشد. تلفات خط انتقال با مربع توان انتقالی متناسب

متلب سایت MatlabSite.com

يدﻮﻤﻋ دﺎﺑ ﻞﻧﻮﺗ ﮏﯾ يرﻮﺒﻧزﻪ ﻧﻻ رد اﻮ ﻫنﺎﯾﺮ ﺟ ﯽﺑﺮﺠﺗ ﯽﺳرﺮﺑ

) max. 06 / ) )3 600 )2 60 )1 c 20 )2 25 )3 30 )4. K hf W است.

رسوب سختی آلیاژهای آلومینیوم: تاريخچه : فرآیند رسوب سختی )پیرسختی( در سال 6091 بوسیله آلمانی کشف گردید.

:يﺪﯿﻠﮐ يﺎﻫ هژاو ﻪﻣﺪ. ﻘﻣ 1

چکیده: Downloaded from jiaeee.com at 15: on Monday April 30th 2018

ارزیابی پاسخ لرزهای درههای آبرفتی نیمسینوسی با توجه به خصوصیات مصالح آبرفتی

ﻞﻜﺷ V لﺎﺼﺗا ﺎﻳ زﺎﺑ ﺚﻠﺜﻣ لﺎﺼﺗا هﺎﮕﺸﻧاد نﺎﺷﺎﻛ / دﻮﺷ

يدﻻﻮﻓ ﯽﻟﻮﻤﻌﻣ ﯽﺸﻤﺧ يﺎﻬﺑﺎﻗ ه يا زﺮﻟ رﺎﺘﻓر ﺖﯿﺳﺎﺴﺣ ﻞﯿﻠﺤﺗ يﺮﯿﻤﺧ ﻞﺼﻔﻣ يﺎﻬﯿﮔﮋﯾو ﻪﺑ ﺖﺒﺴﻧ

مهندسی ساخت و تولید ایران

بسم هللا الرحمن الرحیم

فعالیت = ) ( )10 6 ( 8 = )-4( 3 * )-5( 3 = ) ( ) ( )-36( = m n m+ m n. m m m. m n mn

- - - کارکرد نادرست کنتور ها صدور اشتباه قبض برق روشنایی معابر با توجه به در دسترس نبودن آمار و اطلاعات دقیق و مناسبی از تلفات غیر تاسیساتی و همچنین ب

شبیهسازي جریان داخل و خارج انژکتورهاي فشاري-چرخشی

آزمایش ۱ اندازه گیری مقاومت سیم پیچ های ترانسفورماتور تک فاز

دانشگاه صنعتی کرمانشاه آموزش نرم افزار SIMPOWER MATLAB. SimPowerSystems MATLAB آموزش مقدماتی دانشگاه صنعتی کرمانشاه دکتر وحید عباسی

هدف از این آزمایش آشنایی با برخی قضایاي ساده و در عین حال مهم مدار از قبیل قانون اهم جمع آثار مدار تونن و نورتن

جلسه 22 1 نامساویهایی در مورد اثر ماتریس ها تي وري اطلاعات کوانتومی ترم پاییز

الکترونیکی: پست پورمظفری

راهنمای کاربری موتور بنزینی )سیکل اتو(

مطالعه نظری تشکیل کمپلکسهای فلزی از لیگاند N -فنیل آزا- 15 -کرون 5 -اتر

Research Paper Study on A-TIG Welding of D2 Tool Steel Alloy with SiO 2

چکیده: کلمات کلیدي: تاریخ ارسال مقاله: 1393/12/10

1 هرامش ناریا یهاگشیامزآ شناد

بررسی خرابی در سازه ها با استفاده از نمودارهاي تابع پاسخ فرکانس مجتبی خمسه

فصل سوم جریان های الکتریکی و مدارهای جریان مستقیم جریان الکتریکی

هدف از انجام این آزمایش بررسی رفتار انواع حالتهاي گذراي مدارهاي مرتبه دومRLC اندازهگيري پارامترهاي مختلف معادله

تاثیر پوشش سیلیکون کاربید بر رفتار مقاومت به اکسیداسیون کامپوزیت کربن-کربن و گرافیت

تمرین اول درس کامپایلر

جلسه 14 را نیز تعریف کرد. عملگري که به دنبال آن هستیم باید ماتریس چگالی مربوط به یک توزیع را به ماتریس چگالی مربوط به توزیع حاشیه اي آن ببرد.

حفاظت مقایسه فاز خطوط انتقال جبرانشده سري.

متلب سایت MatlabSite.com

Transcript:

19 مجلهي پژوهش سیستمهاي بسذرهاي دورهي اول شمارهي زمستان 1390 بررسی خواص گسیل میدانی آرایهي نانوسیمه يا با طلا اکسید روي آلاییده شده چکیده * و رامین یوسفی فرید جمالیشینی 1 1 گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهواز گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد مسجدسلیمان آرایهاي از نانوسیمهاي اکسید روي از طریق لایهنشانی فلز طلا در محیط خلا بر روي زیرلایهي فلز روي 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگوي پراش پرتو ایکس به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دماي o C مجموعهاي از قلههاي معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روي نشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیمهاي اکسیدروي با طول چندین میکرون تشکیل شدهاند. مطالعات طیفسنجی فوتوالکترون اشعهي ایکس نشان داد که اتمهاي Au و Zn در حالت اکسید هستند. مطالعهي گسیل میدانی الکترون به وسیلهي ساختار دیودي در فشار 1 10 8- mbar صورت پذیرفت. مقدار میدان عطف مطابق تعریف براي چگالی گسیل جریان الکترون /4V/µm 0/1 µa/cm بهدست آمد. نمودار فولر- نوردهیم (F-N) رفتار خطی را در کل محدودهي میدان اعمال شده مطابق با رفتار ذاتی گسیلکنندههاي نیمرسانا نشان داده است. واژههاي کلیدي: اکسید روي نانوسیمها طیفسنج فوتوالکترون اشعه ایکس گسیل میدانی الکترون مقدمه نانوساختارهاي یک بعدي مثل نانولولههاي کربنی و نانوسیمهاي نیمرسانا به واسطهي خواص فیزیکی و شیمیایی منحصر به فرد جهت کاربرد در قطعات فوتونیک و الکترونیک مورد توجه میباشند. در میان انواع ساختارهاي نیمرسانا نانوسیمهاي اکسیدروي (ZnO) به دلیل داشتن نقطهي ذوب بالا خواص مکانیکی خوب پایداري در محیط رسانش الکترونی مناسب الکترونخواهی پاي ین نسبت طول به قطر بالا و کنترل در قسمت انتهایی ساختار به هنگام ساخت بسیار مورد توجه قرار گرفته است [1]. نانوساختارهاي اکسید روي داراي ساختار پایدار ورتسایت بوده که قابلیت کاربري وسیعی از قبیل دیودهاي نوري [] لیزرها [3] پیزوالکتریک [4] حسگرهاي شیمیایی [5] و در قطعات با پایه گسیل میدانی الکترون دارد [7-6]. در چند سال گذشته ساخت نانوساختارهاي اکسید روي به روشهاي مختلف توسط گروههاي پژوهشی متفاوتی گزارش شده است. بعضی از این روشها عبارتاند از لایه نشانی لیزري [8] لایهنشانی بخار شیمیایی [9] تبخیر حرارتی [10] و لایهنشانی شیمیایی [11]. به طور کلی ناخالصسازي ZnO به وسیلهي + جایگزین کردن یونهاي Zn با یونهاي عناصر با 4+ + 1+ ظرفیتهاي مختلف به طور مثال Mn Li و Sn انجام گرفته است. اگرچه حضور عنصر ناخالص ساز در ZnO در مقالات مختلف پیشنهاد شده است اما تا ثیر اضافه کردن و یا ناخالصسازي بر ویژگیهاي ساختاري و خواصی همچون الکتریکی مغناطیسی و نوري در نانوساختارهاي ZnO هنوز هم یک موضوع بحثانگیز * نویسندهي مسي ول( faridjamali@iauahvaz.ac.ir ) (faridjamali003@yahoo.com)

بررسی خواص گسیل میدانی آرایهي نانوسیمه يا اکسید روي... 0 است. بر همین اساس پژوهش حاضر گزارشی از بررسی تا ثیر عنصر طلا بر خواص سطحی نانوسیمهاي اکسید روي است که از طریق لایهنشانی فلز طلا در محیط خلا بر روي زیر لایهي فلز 400 و روي به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دماي o C به مدت 4 ساعت ساخته شده است. روش آزمایش نانوسیمه يا ZnO از طریق روشه يا زیر ساخته شده است: 1) ورقهه يا فلز روي (99/99 % Aesar (Alfa که به عنوان زیر لایه استفاده میگردد به صورت فرا صوتی در استون و متانول به مدت 10 دقیقه در هر محلول تمیز شدهاند ) یک لایهي نازك از طلا (به ضخامت تقریبا 60 نانومتر) از طریق روش تبخیر در خلا در فشار پایهي 1 10 5- mbar بر روي زیر لایهي فلز روي نشانده شده است. ضخامت لایهي طلا با استفاده از روش تیلور- هابسون (Taylor Hobson) اندازهگیري شد. این لایهي نازك به عنوان کاتالیست براي رشد نانوساختارهاي ZnO استفاده میشود 3) بعد از لایهنشانی طلا زیر لایهها در کوره بدون ایجاد خلا قرار داده میشوند و براي اکسایش 400 قرار میگیرند. در هوا به مدت 4 ساعت در دماي o C جهت بررسی مشخصههاي لایهي اکسید روي ایجادشده o پس از اکسایش در دماي 400 C از دستگاههاي پراش پرتو ایکس AXS) (XRD, D8- Advance, Bruker و میکروسکپ الکترونی روبشی JSM-) SEM, JEOL, 6360A) استفاده گردید. ترکیب شیمیایی و نوع عناصر روي سطح لایهي اکسید روي به وسیلهي اندازهگیري طیفسنج فوتوالکترون اشعهي ایکس ) VG XPS, 1 10-10 mbar در فشار پایهي (Microtech ESCA3000 با استفاده از چشمهي همچنین از و Mg Kα طریق طیفسنج پراکندگی انرژي پرتو ایکس (EDS) متصل به میکروسکپ الکترونی روبشی بررسی شد. جریان گسیل میدانی الکترون نسبت به ولتاژ اعمالی و نسبت به زمان از طریق ایجاد اختلاف پتانسیل بین نمونه و صفحهي نیمهشفاف (ساختار خلا داراي که محفظهاي در دیودي) 1 10 8- mbar بوده به دست آمد. در ساختار دیودي لایهي اکسید روي ایجادشده به عنوان کاتد موازي صفحهي نیمهشفاف فسفري که به عنوان آند در نظر گرفته میشود به فاصلهي 1 mm از یکدیگر قرار میگیرند. اندازهگیري جریان به وسیلهي پیکومتر (485 (keithley و ولتاژ اعمال شده به وسیلهي منبع تغذیه جریان Spellman) -40kV, 0) انجام شد. نتایج و بحث الگوي پراش پرتو ایکس نمونهي ساختهشده در شکل 1 نشان داده شده است. این الگو که حاوي مجموعهاي از قلهه يا مرتبط با ساختار ورتسایت اکسید روي بوده بر اساس مقایسهي مقادیر مشاهدهشده محل قلهها با مقادیر استاندارد شاخصگذاري شده به دست آمده است. همچنین در این الگو قلههاي مرتبط به فلز طلا (Au) و آلیاژهاي طلا- روي (Au-Zn) شاخصگذاري شده است. شکل 1- طیف پراش پرتو ایکس اکسید روي پس از اکسایش حرارتی. Inte nsit y (a rb. units) AuZn 3 ( 0) ZnO(00 ) ZnO(101) Au(1 11) Au 3 Zn(0016 ) ZnO(10 ) 0 30 40 50 60 70 80 (degree) AuZn 3 (40 ) ZnO(1 10) ZnO(1 03) ZnO(1 1) A u 3 Zn(3 36) ZnO (400 ) در شکل تصویر میکروسکپ الکترونی روبشی نشان داده شده است. در این تصویر حضور نانوسیمهایی در تمام سطح نمونه به وضوح مشخص میباشد. اکثر نانوسیمها به صورت عمودي در سطح نمونه جهتگیري شدهاند. قطر نانوسیمها در محدودهي 100-00 nm بوده و طول آنها چندین میکرومتر هستند. مطالعهي طیف پراکندگی انرژي

1 مجلهي پژوهش سیستمهاي بسذرهاي دورهي اول شمارهي زمستان 1390 پرتو ایکس حضور اتمهاي O Zn و Au را نشان میدهد و هیچ نوع قلهاي مرتبط به مواد دیگر نمایان نشده است. - (اکسیژن جذب شده یا گروههاي (O-H و یا یونهاي O در نواحی با اکسیژن کم دخالت داشته باشند. تشکیل - O-Zn در یونهاي O در شبکهي بلوري ZnO دخالت دارند. نسبت مساحت نواحی مربوط به پیوندهاي O-Zn 43:57 میباشد که نشان میدهد تنها %57 از یونهاي اکسیژن در شبکهي ZnO به صورت کاملا اکسیده هستند که ناشی از نواقص شبکه در سطح نمونهي اکسید روي (مانند جاهاي خالی یونهاي اکسیژن و روي) خواهد بود. (Intensity (arb. units)) Intensity (arb.units) Intensity (arb. units) a الف Zn-3p Au-4f 80 8 84 86 88 90 9 94 96 98 100 Binding Energy (ev) 1015 100 105 1030 1035 1040 1045 1050 1055 Binding Energy (ev) c Zn- 3p Au 4f Au- 4f bب Zn-p O-1s O 1s 56 58 530 53 534 536 538 Binding Energy (ev) شکل - تصویر میکروسکپ الکترونی روبشی اکسید روي پس از اکسایش حرارتی. نوع پیوندهاي شیمیایی Zn Au و O موجود در سطح نمونهي ساختهشده به وسیلهي تکنیک XPS مشخص میشوند. میزان انرژي پیوند از طریق دریافت قلهي C 1s (85eV) به عنوان مرجع تنظیم گردید. در شکل 3 -ج) فلا( طیفهایی با قدرت تفکیک بالا براي Au 4f-Zn Zn p ج Au 4f-Zn 3p نشان داده شده است. طیف O 1s و 3p (شکل 3- الف) یک برآمدگی کوچکی در جهت مقدار انرژيهاي پیوندي کم را نشان میدهد. این طیف را میتوان به چهار طیف مجزا به ترتیب به نامهاي ev) 83/4) Au 4f 7/ Zn 3p 3/ (88/7 ev) براي طلا و Au 4f 5/(84/4 ev) ev) Zn 3p 91/6)/3 براي روي تجزیه کرد. با محاسبهي مساحت سطح زیر طیفهاي Au 4f مشخص میگردد که % 5 اتمهاي Au فلزي به صورت اکسید میباشند. انرژي طیفهاي Zn p 3/ و Zn p 1/ به ترتیب در 10/ ev و 1045/ ev قرارگرفته که در شکل 3 ب- نشان داده شده است. همچنین طیف O 1s در شکل 3 ج- نشان داده شده است. میتوان این طیف را به دلیل عدم تقارن به دو جزء با انرژيهاي پیوندي 530/6 ev و 53/ ev تفکیک کرد که به ترتیب تشکیل پیوندهاي O-Zn و O-H را بر روي سطح نمونه میدهند. پیوندهاي O-H میتوانند ناشی از تشکیل پیوندهاي ضعیف اکسیژن در سطح نمونه

بررسی خواص گسیل میدانی آرایهي نانوسیمه يا اکسید روي... شکل 3- فلا( ) (ب) و (ج) به ترتیب طیفهاي XPS سطح اکسید روي مربوط به Zn p Au 4f-Zn 3p و J( A/cm ) 100 80 60 40 0 0 ln(j/e ) 3 1 0-1 - -3 O 1s است. 0.30 0.35 0.40 0.45 1/E..4.6.8 3.0 3. 3.4 3.6 E(V/ m) شکل 4- منحنی چگالی جریان گسیل میدانی بر حسب میدان اعمالشده (J-E) که در داخل منحنی ) ln( J/E بر حسب E/1 رسم شده است. منحنی چگالی جریان گسیل میدانی بر حسب میدان اعمالشده (J-E) در شکل 4 ترسیم شده است. مقدار میدان عطف که بر اساس میزان چگالی جریان گسیلی 0/1 µa/cm تعریف شده است 4/ V/µm میباشد. این مقدار مشاهدهشده از مقادیر میدان عطف سایر نانوساختارهاي ZnO از قبیل نانودیوارها V/µm) 3/6) [1] نانولولهها V/µm) (7 [13] و نانوسیمها V/µm) (8 [14] کمتر میباشد. با افزایش ولتاژ اعمالی جریان گسیل هم سریعا افزایش مییابد به گونهاي که براي چگالی جریان 100µA/cm مقدار میدان الکتریکی 3/4 V/µm نیاز خواهد بود. در این بررسی چگالی جریان به صورت است که چگالی جریان گسیل بر حسب میدان اعمالشده توسط رابطهي فولر- نوردهیم (F-N) بیان میشود [15]. J = (A β E /φ) exp ( Bφ 3/ /βe) (1) که J چگالی جریان گسیل مقادیر( - V A ev φ ثابت B (6/8 10 9 V ev -3/ m -1 ) و A (1/54 10-6 تابع کار و β فاکتور افزایشدهنده میدان است. در داخل شکل 4 منحنی ) ln(j/e بر حسب E/1 رسم شده که از مقادیر مشخصههاي J و E محاسبه شده است. قابل توجه است که منحنی در محدودهي میدان اعمالشده به صورت خطی رفتار میکند. این نتیجه نشان میدهد که در این محدوده نمونه همانند نمونههاي رسانا رفتار کرده و مشابه منحنیهاي غیرخطی که در مورد نانوساختارهاي اکسید روي و یا سایر نیمرساناها در گذشته گزارش شده است نمیباشد [6 و 16]. شکل 5- منحنی جریان گسیل میدانی بر حسب زمان که در داخل آن تصویر گسیل میدانی الکترون نمونه قرار دارد. یکی دیگر از پارامترهاي مهم از نظر کاربري در تکنولوژي پایداري جریان گسیل الکترون میباشد. به همین منظور پایداري جریان گسیل بر حسب زمان (I-t) در فشار 1 10 8- mbar بررسی گردید. در شکل 5 منحنی (I-t) براي مدت 3 ساعت رسم شده است. این نمونه پایداري جریان گسیل الکترون بسیار خوبی را نشان داده که متوسط تغییرات جریان به میزان %10 ± محاسبه میگردد. تصویر گسیل میدانی الکترون نمونه نیز در داخل منحنی (I-t) قرار گرفته است. این تصویر مجموعهاي از نقاط نورانی را نشان میدهد. J = I/A تعریف میشود که I جریان گسیل اندازهگیري شده و A کل سطح نمونهي مقابل به صفحهي نیمهشفاف است. به طور مشابه میدان اعمالشده E به صورت E = V/d تعریف میگردد که در آن V پتانسیل اعمالشده و d فاصلهي بین نمونه تا صفحهي نیمهشفاف است. این میدان متوسط میدان اعمالشده خواهد بود. شایانذکر

3 مجلهي پژوهش سیستمهاي بسذرهاي دورهي اول شمارهي زمستان 1390 nanowire lasers and waveguides, Journal of Physical Chemistry B 107 (003) 8816-888. [4] Zhao, M.H.; Wang, Z.L.; Mao; S.X.; Piezoelectric Characterization of Individual Zinc Oxide Nanobelt Probed by Piezoresponse Force Mic, Nano Letters 4 (004) 587-590. [5] Lao, C.; Li, Y.; Wong, C.P.; Wang; Z.L.; Enhancing the Electrical and Optoelectronic Performance of Nanobelt Devices by Molecular Surface Functionalization, Nano Letters 7 (007) 133-138. [6] Jamali Sheini, F.; Joag, D.S.; More; M.A.; Field emission studies on electrochemically synthesized ZnO nanowires, Ultramicroscopy 109 (009) 418-4. [7] Huang, Y.; Yu, K.; Zhu; Z.; Synthesis field emission of patterned ZnO nanorods, Current Applied Physics 7 (007) 70-706. [8] Zhang, Y.; Russo, R.E.; Mao; S.S.; Femtosecond laser assisted growth of ZnO nanowires, Applied Physics Letters 87 (005) 133115-133118. [9] Wu, J.J.; Liu; S.C.; Catalyst-Free Growth and Characterization of ZnO Nanorods, Journal of Physical Chemistry B 106 (00) 9546-9551. [10] Yousefi, R.; Jamali-Sheini; F.; Effect of chlorine ion concentration on morphology and optical properties of Cl-doped ZnO nanostructures, Ceramics International 38 (01) 581-585. [11] Jamali-Sheini; F.; Chemical solution deposition of ZnO nanostructure films: نتیجهگیري نانوسیمهاي اکسید روي از طریق لایهنشانی طلا در محیط خلا و اکسایش حرارتی در هوا تولیدشدهاند. بر اساس الگوي XRD ساختار اکسید روي نمونهي ورتسایت به دست آمد. از تصویر SEM مشخص شد که آرایهاي از نانوسیمها با چگالی بالایی تشکیل شده است. نتایج طیف XPS در گسترهي Au 4f-Zn 3p نشان میدهد که برخی از اتمهاي Au به صورت اکسید هستند. طیف XPS براي Zn p نشان از تشکیل ZnO بر روي سطح نمونه را دارد. همچنین طیف O 1s کمبود اکسیژن را در شبکهي بلوري ZnO نمایان میکند. در مطالعهي گسیل میدانی الکترون میدان عطف نمونه که براي چگالی جریان گسیل µa/cm 0/1 تعریف گردیده /4 V/µm به دست آمد که نسبت به سایر نانوساختارهاي اکسید روي مقدار پایینتري را داشته است. پایداري جریان براي 3 ساعت بررسی شد که حدود %10 ± تغییرات را نشان داد. تشکر و قدردانی نویسندگان مقاله از همکاري دانشگاههاي آزاد اسلامی واحد اهواز و واحد مسجدسلیمان به خاطر حمایت مالی این تحقیق صمیمانه تشکر میکنند. منابع [1] Fang, X.; Bando, Y.; Gautam, U.K.; Ye, C.; Golberg; D.; Inorganic semiconductor nanostructures and their field-emission applications, Journal of Materials Chemistry 18 (007) 509-5. [] Bao, J.M.; Zimmler, M.A.; Capasso, F.; Wang, X.; Ren; Z.F.; Broadband ZnO single-nanowire light-emitting diode, Nano Letters 6 (006) 1719-17. [3] Johnson, J.C.; Yan, H.; Yang, P.; Saykally; R.J.; Optical cavity effects in ZnO

بررسی خواص گسیل میدانی آرایهي نانوسیمه يا اکسید روي... 4 [15] Fowler, R.H.; Nordheim; L.W.; Electron Emission in Intense Fields, Proceedings of the Royal Society of London Series A 119 (198) 173-181. [16] Ramgir, N.S.; Mulla, I.S.; Vijaymohanan, K.; Late, D.J.; Bhise, A.B.; More, M.A.; Joag; D.S.; Ultralow threshold field emission from a single multipod structure of ZnO, Applied Physics Letters 88 (006) 4107-4110. Morphology and substrate angle dependency, Ceramics International 38 (01) 3649-3657. [1] Pradhan, D.; Kumar, M.; Ando, Y.; Leung; K.T.; Efficient field emission from vertically grown planar ZnO nanowalls on an ITO-glass substrate, Nanotechnology 19 (008) 35603-35609. [13] Wei, A.; Sun, X.W.; Xu, C.X.; Dong, Z.L.; Yu, M.B.; Huang; W.; Stable field emission from hydrothermally grown ZnO nanotubes, Applied Physics Letters 88 (006) 1310-13105. [14] Yang, Y.H.; Wang, C.X.; Wang, B.; Xu, N.S.; Yang; G.W.; ZnO nanowire and amorphous diamond nanocomposites and field emission enhancement, Chemical Physics Letters 403 (005) 48-51.